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Diodes Incorporated DMTH8001STLWQ汽车增强模式MOSFET
发布时间： 2022/8/29 11:52:21 | 98 次阅读
Diodes Incorporated DMTH8001STLWQ汽车增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMTH8001STLW汽车增强模式MOSFET是一款N沟道MOSFET，具有低导通电阻（1.1mΩ典型值，1.7mΩzui大值）和出色的开关性能。DMTH8001STLW具有80V漏源电压、1?A零栅极电压漏极电流以及?100nA栅极-源极漏电流。该器件符合AEC-Q101标准，由PPAP支持，优化用于汽车应用。Diodes Incorporated DMTH8001STLW增强模式MOSFET采用高效散热的紧凑型PowerDI?1012-8 (TOLL) 封装。TOLL封装设计用于处理高达300A的电流，占用的PCB面积比行业标准的TO263封装少了20%。TOLL封装具有2.4mm离板高度，非常适合用于紧凑型高密度设计。TOLL的低封装电感提高了EMI性能，镀锡槽形引线确保满足自动光学检查 (AOI) 的需求。
特性
- 额定温度为175?C，非常适合用于高环境温度环境
- 100%无钳位电感开关 (UIS) 生产测试，确保更加可靠而稳健的终端应用
- 高转换效率
- 低RDS(ON)zui大限度地降低导通状态功耗
- 带可湿性侧翼，可提高光学检测能力
- 无铅涂层，符合RoHS指令
- 无卤、无锑的“绿色”器件
- DMTH8001STLWQ适合用于需要特定变化控制的汽车应用；该部件符合AEC-Q100标准，支持PPAP，在IATF 16949ren证的工厂生产。
规范
- 漏极-源极电压 (VDSS)：80V
- 漏极-源极导通电阻 (RDS(ON))：1.7m?
- 零栅极电压漏极电流 (IDSS)：1?A
- 栅极-源极漏电流 (IGSS)：?100nA
- 栅极阈值电压 (VGS(TH))：2v至4v
- 栅极-源极电压 (VGSS)：?20V
-
连续漏电流 (ID)
- 270A (TC= %2B25?C)
- 150A (TC= %2B100?C)
- 反向恢复时间 (tRR)：94ns
- 反向恢复电荷 (QRR)：291nC
- 工作结温范围 (TJ)：-55?C至%2B175?C
- 外壳：POWERDI1012-8 (TOLL)
- 外壳材料：模制塑料、“绿色”模压UL可燃性分类等级94V-0
- 湿度敏感度：J-STD-020 标准第 1 级
- 端子涂层：在铜引线框上进行退火处理的锡雾。
- 可焊接，符合MIL-STD-202标准之方法208的要求
- 重量：388g（近似值）